联系人：卢寿光
邮箱：yijinguandao@163.com
电话：18926578433
地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
VISHAY |
封装 |
DFN |
| 批号 |
22+ |
数量 |
8000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
PowerPAK-1212-8 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
| Id-连续漏极电流 |
20A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
4.25mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V,-16V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.1V |
| Qg-栅极电荷 |
29nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
26.5W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 系列 |
SIS |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 正向跨导-最小值 |
65S |
下降时间 |
8ns |
| 上升时间 |
8ns |
典型关闭延迟时间 |
18ns |
| 典型接通延迟时间 |
9ns |
型号 |
SiSA14DN-T1-GE3 |
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SiSA14DN-T1-GE3 |
| 封装： | DFN |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 8000 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PowerPAK-1212-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 4.25 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V, - 16 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.1 V |
| Qg-栅极电荷： | 29 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 26.5 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | SIS |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 65 S |
| 下降时间： | 8 ns |
| 上升时间： | 8 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 18 ns |
| 典型接通延迟时间： | 9 ns |
18926578433