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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
TO-263 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-263-7 |
晶体管极性 |
P-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
| Id-连续漏极电流 |
180A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
3.9mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-16V,+5V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.2V |
| Qg-栅极电荷 |
220nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
150W |
| 通道模式 |
Enhancement |
资格 |
AEC-Q101 |
| 配置 |
Single |
高度 |
4.4mm |
| 长度 |
10mm |
系列 |
OptiMOS-P2 |
| 晶体管类型 |
1P-Channel |
宽度 |
9.25mm |
| 下降时间 |
119ns |
上升时间 |
28ns |
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