IR2104PBF MOSFET及IGBT驱动器 IR 封装DIP-8 批次21+

IR2104PBF MOSFET及IGBT驱动器 IR 封装DIP-8 批次21+

价格 0.95
起订量 10㎡
货源所属商家已经过真实性核验
品牌 IR
型号 IR2104PBF
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电话:18926578433

地址: 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区

产品详情
品牌

IR

封装

DIP-8

批号

22+

数量

2000

制造商

Infineon

产品种类

门驱动器

RoHS

安装风格

ThroughHole

封装/箱体

PDIP-8

激励器数量

2Driver

输出端数量

2Output

输出电流

130mA

电源电压-最小

10V

电源电压-最大

20V

上升时间

100ns

下降时间

50ns

最小工作温度

-40C

最大工作温度

+125C

特点

Synchronous

高度

5.33mm

长度

10.92mm

逻辑类型

CMOS,TTL

最大关闭延迟时间

150ns

最大开启延迟时间

680ns

工作电源电流

270uA

Pd-功率耗散

1W

传播延迟—最大值

820ns

宽度

IR2104PBFSP001544338

零件号别名

1g

型号

IR2104PBF


技术参数

品牌:IR
型号:IR2104PBF
封装:DIP-8
批号:22+
数量:2000
制造商:Infineon
产品种类:门驱动器
RoHS:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:PDIP-8
激励器数量:2 Driver
输出端数量:2 Output
输出电流:130 mA
电源电压-最小:10 V
电源电压-最大:20 V
上升时间:100 ns
下降时间:50 ns
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 125 C
特点:Synchronous
高度:5.33 mm
长度:10.92 mm
逻辑类型:CMOS, TTL
最大关闭延迟时间:150 ns
最大开启延迟时间:680 ns
工作电源电流:270 uA
Pd-功率耗散:1 W
传播延迟—最大值:820 ns
宽度:IR2104PBF SP001544338
零件号别名:1 g

商家电话:
18926578433