联系人：卢寿光
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| 品牌 |
安森美 |
封装 |
PQFN8 |
| 批号 |
21+ |
数量 |
42000 |
| RoHS |
是 |
种类 |
MOSFET |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
80V |
Id-连续漏极电流 |
36A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
1.06mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
3.1V |
Qg-栅极电荷 |
195nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
156W |
正向跨导-最小值 |
116S |
| 可售区域 |
全国 |
资质 |
代理 |
| 型号 |
FDMT80080DC |
|
18926578433