联系人：卢寿光
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地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
ON |
封装 |
SOP-8 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
产品种类 |
ESD抑制器/TVS二极管 |
| RoHS |
是 |
极性 |
Unidirectional |
| 工作电压 |
5V |
通道数量 |
4Channel |
| 端接类型 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
SOIC-8 |
| 击穿电压 |
6V |
钳位电压 |
25V |
| 峰值脉冲功耗(Pppm) |
500W |
Vesd-静电放电电压触点 |
8kV |
| Vesd-静电放电电压气隙 |
15kV |
Cd-二极管电容 |
5pF |
| Ipp-峰值脉冲电流 |
25A |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
系列 |
NUP4201DR2 |
| 单位重量 |
70.330mg |
型号 |
NUP4201DR2G |
| 品牌： | ON |
| 型号： | NUP4201DR2G |
| 封装： | SOP-8 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | ESD 抑制器/TVS 二极管 |
| RoHS： | 是 |
| 极性： | Unidirectional |
| 工作电压： | 5 V |
| 通道数量： | 4 Channel |
| 端接类型： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOIC-8 |
| 击穿电压： | 6 V |
| 钳位电压： | 25 V |
| 峰值脉冲功耗 (Pppm)： | 500 W |
| Vesd - 静电放电电压触点： | 8 kV |
| Vesd - 静电放电电压气隙： | 15 kV |
| Cd - 二极管电容 ： | 5 pF |
| Ipp - 峰值脉冲电流： | 25 A |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 系列： | NUP4201DR2 |
| 单位重量： | 70.330 mg |
18926578433