联系人：卢寿光
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地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
ON |
封装 |
SOT-223-4 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-223-4 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
65V |
| Id-连续漏极电流 |
7A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
210mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
14V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
2V |
| 最小工作温度 |
-40C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
1.25W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
资格 |
AEC-Q101 |
| 系列 |
NCV8406A |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 下降时间 |
692ns |
上升时间 |
486ns |
| 典型关闭延迟时间 |
1600ns |
典型接通延迟时间 |
127ns |
| 单位重量 |
250mg |
型号 |
NCV8406ASTT3G |
| 品牌： | ON |
| 型号： | NCV8406ASTT3G |
| 封装： | SOT-223-4 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-223-4 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 65 V |
| Id-连续漏极电流： | 7 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 210 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 14 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.25 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 系列： | NCV8406A |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 下降时间： | 692 ns |
| 上升时间： | 486 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 1600 ns |
| 典型接通延迟时间： | 127 ns |
| 单位重量： | 250 mg |
18926578433