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| 品牌 |
英飞凌 |
封装 |
PG-TO263-7 |
| 批号 |
23+ |
数量 |
12000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-263-7 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
| Id-连续漏极电流 |
180A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
2mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
2V |
| Qg-栅极电荷 |
206nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
300W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 高度 |
4.4mm |
长度 |
10mm |
| 系列 |
OptiMOS3 |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
9.25mm |
正向跨导-最小值 |
100S |
| 下降时间 |
28ns |
上升时间 |
58ns |
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