联系人：刘经理
邮箱：646571440@qq.com
电话：18926578433
地址： 山东济宁市第七工业园C区
| 品牌 |
VISHAY |
封装 |
原厂封装 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
30000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-263-3 |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
Id-连续漏极电流 |
120A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
3.4mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
-2.5V |
Qg-栅极电荷 |
450nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
157W |
通道模式 |
Enhancement |
| 商标名 |
TrenchFET |
配置 |
Single |
| 系列 |
SQ |
晶体管类型 |
1P-Channel |
| 商标 |
Vishay/Siliconix |
正向跨导-最小值 |
92S |
| 下降时间 |
135ns |
产品类型 |
MOSFET |
| 上升时间 |
20ns |
工厂包装数量 |
800 |
| 子类别 |
MOSFETs |
典型关闭延迟时间 |
155ns |
| 典型接通延迟时间 |
18ns |
型号 |
SQM40041EL_GE3 |
18926578433