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| 品牌 |
原装 |
种类 |
绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型 |
N沟道 |
导电方式 |
增强型 |
| 数量 |
5000 |
型号 |
IRFR2405TRPBF |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| Qg - Gate Charge | 70 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | HEXFET Power MOSFET |
| 下降时间 | 78 ns |
| 封装 | Reel |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 56 A |
| 长度 | 6.5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 16 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 2.3 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型导通延迟时间 | 15 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| 上升时间 | 130 ns |
| 技术 | Si |
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