联系人：卢寿光
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电话：18926578433
地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
TO-252 |
| 批号 |
23+ |
数量 |
50000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-252-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
| Id-连续漏极电流 |
50A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
6.2mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V,-16V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.2V |
| Qg-栅极电荷 |
30nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
46W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 资格 |
AEC-Q101 |
高度 |
2.3mm |
| 长度 |
6.5mm |
系列 |
OptiMOS-T2 |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
6.22mm |
| 下降时间 |
18ns |
上升时间 |
8ns |
| 典型关闭延迟时间 |
11ns |
典型接通延迟时间 |
4ns |
| 零件号别名 |
IPD50N04S4L08ATMA1SP000711456IPD5N4S4L8XTIPD50N |
单位重量 |
4g |
| 型号 |
IPD50N04S4L-08 |
|
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IPD50N04S4L-08 |
| 封装： | TO-252 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 50000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6.2 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V, - 16 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 30 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 46 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 系列： | OptiMOS-T2 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.22 mm |
| 下降时间： | 18 ns |
| 上升时间： | 8 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 11 ns |
| 典型接通延迟时间： | 4 ns |
| 零件号别名： | IPD50N04S4L08ATMA1 SP000711456 IPD5N4S4L8XT IPD50N04S4L08ATMA1 |
| 单位重量： | 4 g |
18926578433