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| 品牌 |
Infineon |
封装 |
TDSON-8-EP(5x6) |
| 批号 |
24+ |
数量 |
52322 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TDSON-8 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
60V |
| Id-连续漏极电流 |
50A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
6.7mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.2V |
| Qg-栅极电荷 |
67nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
69W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 高度 |
1.27mm |
长度 |
5.9mm |
| 系列 |
OptiMOS3 |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
5.15mm |
正向跨导-最小值 |
38S |
| 下降时间 |
7ns |
上升时间 |
26ns |
| 典型关闭延迟时间 |
37ns |
典型接通延迟时间 |
15ns |
| 单位重量 |
100mg |
型号 |
BSC067N06LS3G |
18926578433