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电话：18926578433
地址： 山东济宁市第七工业园C区
| 品牌 |
ST |
封装 |
TO252 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
8000 |
| 制造商 |
STMicroelectronics |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-252-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
600V |
| Id-连续漏极电流 |
5A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
900mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-25V,+25V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
3V |
| Qg-栅极电荷 |
14nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
45W |
| 通道模式 |
Enhancement |
资格 |
AEC-Q101 |
| 配置 |
Single |
系列 |
STD7ANM60N |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
下降时间 |
12ns |
| 上升时间 |
10ns |
典型关闭延迟时间 |
26ns |
| 典型接通延迟时间 |
7ns |
单位重量 |
330mg |
| 型号 |
STD7ANM60N |
|
| 品牌： | ST |
| 型号： | STD7ANM60N |
| 封装： | TO252 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 8000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 600 V |
| Id-连续漏极电流： | 5 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 900 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| Qg-栅极电荷： | 14 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 45 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Single |
| 系列： | STD7ANM60N |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 下降时间： | 12 ns |
| 上升时间： | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 26 ns |
| 典型接通延迟时间： | 7 ns |
| 单位重量： | 330 mg |
18926578433