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地址： 山东济宁市第七工业园C区
| 品牌 |
VISHAY/威世 |
封装 |
SMD |
| 批号 |
02+ |
数量 |
5000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SO-8 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
2Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
| Id-连续漏极电流 |
8.5A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
19.5mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
10V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.2V |
| Qg-栅极电荷 |
14.5nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
3.1W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Dual |
| 高度 |
1.75mm |
长度 |
4.9mm |
| 系列 |
SI4 |
晶体管类型 |
2N-Channel |
| 宽度 |
3.9mm |
正向跨导-最小值 |
27S |
| 下降时间 |
7ns |
上升时间 |
10ns |
| 典型关闭延迟时间 |
15ns |
典型接通延迟时间 |
7ns |
| 零件号别名 |
SI4920DY-T1-E3-S |
单位重量 |
506.600mg |
| 型号 |
SI4214DDY-T1-GE3 |
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