联系人:刘经理
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地址: 山东济宁市第七工业园C区
| 品牌 |
onsemi |
封装 |
SOT-23-3 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
产品种类 |
ESD抑制器/TVS二极管 |
| RoHS |
是 |
极性 |
Unidirectional |
| 工作电压 |
26V |
通道数量 |
2Channel |
| 端接类型 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
SOT-23-3 |
| 击穿电压 |
31.35V |
钳位电压 |
46V |
| 峰值脉冲功耗(Pppm) |
40W |
Vesd-静电放电电压触点 |
30kV |
| Ipp-峰值脉冲电流 |
0.87A |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
系列 |
MMBZxxxALT1 |
| Vf-正向电压 |
0.9V |
单位重量 |
8.020mg |
| 型号 |
MMBZ33VALT1G |
|

| 品牌: | onsemi |
| 型号: | MMBZ33VALT1G |
| 封装: | SOT-23-3 |
| 批号: | 22+ |
| 数量: | 2000 |
| 制造商: | ON Semiconductor |
| 产品种类: | ESD 抑制器/TVS 二极管 |
| RoHS: | 是 |
| 极性: | Unidirectional |
| 工作电压: | 26 V |
| 通道数量: | 2 Channel |
| 端接类型: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
| 击穿电压: | 31.35 V |
| 钳位电压: | 46 V |
| 峰值脉冲功耗 (Pppm): | 40 W |
| Vesd - 静电放电电压触点: | 30 kV |
| Ipp - 峰值脉冲电流: | 0.87 A |
| 最小工作温度: | - 55 C |
| 最大工作温度: | + 150 C |
| 系列: | MMBZxxxALT1 |
| Vf - 正向电压: | 0.9 V |
| 单位重量: | 8.020 mg |