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| 品牌 |
TI |
封装 |
原厂封装 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
30000 |
| 制造商 |
TexasInstruments |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-263-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
| Id-连续漏极电流 |
200A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
5.6mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
2.6V |
| Qg-栅极电荷 |
44nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
250W |
| 配置 |
Single |
高度 |
19.7mm |
| 长度 |
9.25mm |
系列 |
CSD19532KTT |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
10.26mm |
| 下降时间 |
2ns |
湿度敏感性 |
Yes |
| 上升时间 |
3ns |
典型关闭延迟时间 |
14ns |
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