联系人：卢寿光
邮箱：yijinguandao@163.com
电话：18926578433
地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
TI |
封装 |
17+ |
| 数量 |
2000 |
制造商 |
TexasInstruments |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
VSONP-8 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
Id-连续漏极电流 |
25A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
3.9mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
1V |
Qg-栅极电荷 |
54nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
63W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
高度 |
0.9mm |
| 长度 |
3.15mm |
系列 |
CSD17581Q3A |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
3mm |
| 正向跨导-最小值 |
78S |
下降时间 |
10ns |
| 上升时间 |
23ns |
典型关闭延迟时间 |
23ns |
18926578433