NSVBCP56-10T3G 电子元器件 ON/安森美 封装TSSOP-16 批次24+

NSVBCP56-10T3G 电子元器件 ON/安森美 封装TSSOP-16 批次24+

价格 0.50
起订量 10㎡
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品牌 安森美
型号 NSVBCP56-10T3G
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电话:18926578433

地址: 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区

产品详情
品牌

安森美

封装

TSSOP-16

批号

24+

数量

20000

制造商

ONSemiconductor

产品种类

双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装/箱体

SOT-223-4

晶体管极性

NPN

配置

Single

集电极—基极电压VCBO

100V

发射极-基极电压VEBO

5V

集电极—射极饱和电压

500mV

最大直流电集电极电流

1A

Pd-功率耗散

1.5W

增益带宽产品fT

130MHz

最小工作温度

-65C

最大工作温度

+150C

直流电流增益hFE最大值

160at150mA,2V

技术

Si

商标

ONSemiconductor

直流集电极/BaseGainhfeMin

63at150mA,2V

产品类型

BJTs-BipolarTransistors

资格

AEC-Q101

工厂包装数量

4000

子类别

Transistors

型号

NSVBCP56-10T3G


技术参数

品牌:ON/安森美
型号:NSVBCP56-10T3G
封装:TSSOP-16
批号:24+
数量:20000
制造商:ON Semiconductor
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-223-4
晶体管极性:NPN
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V
集电极—基极电压 VCBO:100 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—射极饱和电压:500 mV
最大直流电集电极电流:1 A
Pd-功率耗散:1.5 W
增益带宽产品fT:130 MHz
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值:160 at 150 mA, 2 V
技术:Si
商标:ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min:63 at 150 mA, 2 V
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
资格:AEC-Q101
工厂包装数量:4000
子类别:Transistors

商家电话:
18926578433