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| 品牌 |
德州仪器 |
封装 |
LSON-8 |
| 批号 |
23+ |
数量 |
3000 |
| 制造商 |
TexasInstruments |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
LSON-CLIP-8 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
2Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
| Id-连续漏极电流 |
25A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
2.4Ohms,1.2Ohms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-8V,+10V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1V,750mV |
| Qg-栅极电荷 |
5.7nC,10.7nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
6W |
| 通道模式 |
Enhancement |
系列 |
CSD87335Q3D |
| 配置 |
Dual |
下降时间 |
4ns,5ns |
| 正向跨导-最小值 |
59S,107S |
高度 |
1.5mm |
| 长度 |
3.3mm |
上升时间 |
29ns,27ns |
| 晶体管类型 |
13ns,17ns |
典型关闭延迟时间 |
8ns,8ns |
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