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| 品牌 |
VISHAY |
封装 |
原厂封装 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
30000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-263-3 |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
80V |
Id-连续漏极电流 |
50A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
25mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
2.5V |
Qg-栅极电荷 |
137nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
150W |
通道模式 |
Enhancement |
| 资格 |
AEC-Q101 |
商标名 |
TrenchFET |
| 配置 |
Single |
系列 |
SQ |
| 晶体管类型 |
1P-Channel |
商标 |
Vishay/Siliconix |
| 正向跨导-最小值 |
36S |
下降时间 |
16ns |
18926578433