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| 品牌 |
VISHAY |
封装 |
原厂封装 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
30000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-263-3 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
Id-连续漏极电流 |
120A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
3mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
2.5V |
Qg-栅极电荷 |
190nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
375W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
资格 |
AEC-Q101 |
| 商标名 |
TrenchFET |
高度 |
4.83mm |
| 长度 |
10.67mm |
系列 |
SQ |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
9.65mm |
18926578433