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电话：18926578433
地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
VISHAY |
封装 |
PowerPAKSC |
| 批号 |
22+ |
数量 |
8000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SC-70-6 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
| Id-连续漏极电流 |
2.25A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
38mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-12V,+12V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
600mV |
| Qg-栅极电荷 |
4.6nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
13.6W |
| 通道模式 |
Enhancement |
资格 |
AEC-Q101 |
| 系列 |
SQ |
配置 |
Single |
| 下降时间 |
9.5ns |
上升时间 |
18ns |
| 晶体管类型 |
21ns |
典型关闭延迟时间 |
7.3ns |
| 型号 |
SQA470EJ-T1_GE3 |
|
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SQA470EJ-T1_GE3 |
| 封装： | PowerPAKSC |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 8000 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SC-70-6 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 2.25 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 38 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 12 V, + 12 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 600 mV |
| Qg-栅极电荷： | 4.6 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 13.6 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 系列： | SQ |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 9.5 ns |
| 上升时间： | 18 ns |
| 晶体管类型： | 21 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 7.3 ns |
18926578433