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地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
安森美 |
封装 |
SSOP24 |
| 批号 |
24+ |
数量 |
20000 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
DFN-8 |
晶体管极性 |
P-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
| Id-连续漏极电流 |
80A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
4.9mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
16V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1V |
| Qg-栅极电荷 |
82nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
214W |
| 通道模式 |
Enhancement |
资格 |
AEC-Q101 |
| 配置 |
Single |
晶体管类型 |
1P-ChannelPowerTrenchMOSFET |
| 下降时间 |
114ns |
上升时间 |
5ns |
| 典型关闭延迟时间 |
389ns |
典型接通延迟时间 |
10ns |
| 单位重量 |
161.193mg |
型号 |
FDWS9508L-F085 |
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | FDWS9508L-F085 |
| 封装： | SSOP24 |
| 批号： | 24+ |
| 数量： | 20000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | DFN-8 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 4.9 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 16 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 82 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 214 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Single |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel Power Trench MOSFET |
| 下降时间： | 114 ns |
| 上升时间： | 5 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 389 ns |
| 典型接通延迟时间： | 10 ns |
| 单位重量： | 161.193 mg |
18926578433