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地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
VISHAY |
封装 |
PPAK1212-8 |
| 批号 |
23+ |
数量 |
71222 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
PowerPAK1212-8 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
60V |
| Id-连续漏极电流 |
18A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
23mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.5V |
| Qg-栅极电荷 |
25nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
62W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 资格 |
AEC-Q101 |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 正向跨导-最小值 |
50S |
下降时间 |
15ns |
| 上升时间 |
13ns |
典型关闭延迟时间 |
22ns |
| 典型接通延迟时间 |
8ns |
型号 |
SQ7414CENW-T1_GE3 |
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SQ7414CENW-T1_GE3 |
| 封装： | PPAK1212-8 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 71222 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PowerPAK1212-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 18 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 23 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 25 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 62 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 50 S |
| 下降时间： | 15 ns |
| 上升时间： | 13 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 22 ns |
| 典型接通延迟时间： | 8 ns |
18926578433