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| 品牌 |
德州仪器 |
封装 |
VSON-8 |
| 批号 |
23+ |
数量 |
3000 |
| 制造商 |
TexasInstruments |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
VSON-8 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
2Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
Id-连续漏极电流 |
20A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
8.3mOhms,8.3mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-8V,+8V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
750mV |
Qg-栅极电荷 |
8.3nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
6W |
通道模式 |
Enhancement |
| 商标名 |
NexFET |
配置 |
Dual |
| 高度 |
1mm |
长度 |
3.3mm |
| 系列 |
CSD87334Q3D |
宽度 |
3.3mm |
| 商标 |
TexasInstruments |
正向跨导-最小值 |
62S |
| 开发套件 |
VSON |
下降时间 |
17ns,17ns |
| 产品类型 |
MOSFET |
上升时间 |
7ns,7ns |
| 工厂包装数量 |
250 |
子类别 |
MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间 |
11ns,11ns |
典型接通延迟时间 |
4ns,4ns |
| 单位重量 |
76mg |
型号 |
CSD87334Q3DT |
18926578433