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| 品牌 |
艾拓微电子科技 |
型号 |
DM5269 |
| 封装形式 |
SMD |
导电类型 |
双极型 |
| 封装外形 |
扁平型 |
集成度 |
超大规模(>10000) |
| 外形尺寸 |
3mm |
加工定制 |
否 |
| 工作电源电压 |
-0.3V~6V |
最大功率 |
100W |
| 工作温度 |
-45℃~85℃ |
批号 |
19 |
| 数量 |
3000000 |
封装 |
SOT23-6 |
|
2696038602 |
|
单节锂离子/锂聚合物电池用保护IC
概述
DM5269系列是采用高耐压CMOS工艺，内置高精度电压检测电路和延时电路，用于1节锂离子/聚合物可充电电池的保护IC。
可对1节锂离子/聚合物电池的过充电、过放电、放电过电流、充电过电流及短路状态进行检测。
特点
（1）各种检测、释放电压的选择范围与精度
过充电检测电压 4.2V~4.6V、5mV进阶可选 精度±20mV（Ta=25°C）
精度±25mV（Ta=-5~+60°C）
过充电释放电压 4.0V~4.6V、10mV进阶可选 精度±50mV
过放电检测电压 2.0V~3.4V、10mV进阶可选 精度±50mV
过放电释放电压 2.0V~3.4V、10mV进阶可选 精度±50mV
放电过电流检测电压 +50mV~+400mV、5mV进阶可选 精度±10mV
充电过电流检测电压 -400mV~-50mV、5mV进阶可选 精度±20mV
短路检测电压 0.55V 精度±100mV
（2）各种检测延迟时间功能仅通过内置电路可实现（不需要外接电容）
（3）充电器连接端子采用高耐压器件（CS端绝对额定值40 V）
（4）0 V电池充电的功能 可选择“允许”/“禁止”
（5）休眠功能 可选择“有”/“无”
（6）工作温度范围广 Ta=-40°C~+85°C
（7）消耗电流低
工作时 3.0μA（典型值），6.0μA（值）（Ta=+25°C）
休眠时 0.1μA（值）（Ta=+25°C）
（8）无卤绿色环保封装
用途
单节锂离子可充电电池组
单节锂聚合物可充电电池组
封装
SOT-23-6
（3）产品型号目录
DS 型号
过充电
检测电压
VCU
过充电
释放电压
VCR
过放电
检测电压
VDU
过放电
释放电压
VDR
放电过流
检测电压
VDIP
充电过流
检测电压
VCIP
延迟
时间代码
向 0V 电池充
电功能
休眠
功能
DM5269-DAAT 4.280V 4.080V 3.00V 3.00V 80mV -100mV 1 允许 有
DM5269-DABT 4.425V 4.225V 2.50V 2.90V 160mV -160mV 1 允许 无
DM5269-DAIT 4.280V 4.080V 3.00V 3.00V 180mV -150mV 4 允许 有
DM5269-DAQT 4.475V 4.275V 2.50V 2.90V 150mV -150mV 2 允许 无
DM5269-DAUT 4.425V 4.225V 2.50V 2.90V 130mV -130mV 3 允许 无
DM5269-DAXT 4.280V 4.080V 2.80V 3.00V 100mV -100mV 1 允许 无
DM5269-DAWT 4.280V 4.080V 3.00V 3.30V 80mV -80mV 1 允许 无
DM5269-DAYT 4.200V 4.000V 2.80V 3.00V 150mV -150mV 1 禁止 无
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