联系人：唐生
邮箱：
电话：15626510025
地址： 中国 广东 深圳市深圳市前海湾1路1号
| 品牌 |
艾拓微电子科技 |
型号 |
LT全系列 |
| 种类 |
绝缘栅型 |
导电方式 |
耗尽型 |
| 沟道类型 |
P沟道 |
可测气体 |
硫化氢 |
| 加工定制 |
否 |
外形尺寸 |
4mm |
| 老化系数 |
1000000 |
功耗 |
0.001 |
LT1202ESJ
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET?Absolute Maximum Ratings @TA=25℃ unless otherwise notedParameterSymbolRatingsUnitDrain-Source VoltageVDSS-30VGate-Source VoltageVGSS±20VDrain Current (Continuous) *CTC=25°CID-30ATC=100°C-19Drain Current (Pulse) *BIDM-120APower DissipationTC=25°CPD25WOperating Temperature/ Storage TemperatureTJ/TSTG-55~150℃? Thermal Resistance RatingsParameterSymbolMaximumUnitMaximum Junction-to-Ambient *At ≤ 10sRthJA30°C/WMaximum Junction-to-Case (Drain) *ASteady StateRthJC
LT150IGB065 LT150IGB12 LT100IGB065 LT100IGB12 LT100IGB17 LT75IGB065 LT75IGB12 LT75IGB17 LT60IGB25 LT50IGB12 LT50IGB17 LT50IGB33 LT35IGB45 LT30IGB065 LT25IGB12 LT25IGB65 LT15IGB12
15626510025