艾拓微FHDCT-031D FHDCT-034 FHS-001 FHS-002 FHS-003 FHS-004 FHS-005
艾拓微W11 5A 10A W12 30A 40A W12T 40A W12T-50 50A 60A FH12 30A 40A FH12C
耐高压充电IC 4054H 4056H 4057H--艾拓微
艾拓微 FHS-013 FHS-014 FHS-015 FHS-016 FHS-017 FHS-018 FHS-019 FHS-020
艾拓微FHS-006 FHS-007 FHS-008 FHS-009 FHS-010 FHS-011 FHS-012 FHS
艾拓微H56LG 125A FH57L 90A FH59L 100A FH60 30A FH61NE 40A FH62NE 40A
联系人：唐生
邮箱：
电话：15626510025
地址： 中国 广东 深圳市深圳市前海湾1路1号
| 品牌 |
艾拓微电子科技 |
型号 |
TM-SX670 |
| 封装形式 |
SMD |
导电类型 |
双极型 |
| 封装外形 |
扁平型 |
集成度 |
大规模(100~10000) |
| 外形尺寸 |
4mm |
加工定制 |
否 |
| 工作电源电压 |
1V~5.5V |
最大功率 |
10000W |
| 工作温度 |
-40℃~85℃ |
批号 |
2018+ |
| 类型 |
驱动IC |
系列 |
TM全系列 |
| 特色服务 |
可以写程序 |
产品说明 |
原装正品 |
| 包装 |
管装/盘装 |
应用领域 |
家用电器 |
| 数量 |
8699999969 |
封装 |
各类封装 |
| 批号 |
2023+ |
2696038602 |
SC95F8672
l SRAM
n 内部256 bytes 片内直接存取RAM
n 4 Kbytes外部RAM(XRAM)
n 16 bytes片内间接存取RAM通过MOVX指令读写PWM 占空比SFR：1040H~104FH 共16 bytes
时钟源l 内建高频 32MHz 振荡器（HRC）
n IC的系统时钟频率（fSYS），可通过编程器选择设定为：32/16/8/4MHz
n 全电压范围内(2.0V~5.5V)：
u -20 ~ 85℃应用环境，频率误差不超过 ±1%
u -40 ~ 105℃应用环境，频率误差不超过 ±2%
n 可通过32.768kHz外接晶振进行自动校准，校准后HRC精度可无限接近外接32.768kHz晶振的精度
l 内置低频晶体振荡器电路：可外接32.768kHz振荡器，作为Base Timer 时钟源l 内建低频 32.768kHz 振荡器 (LRC)：作为Base Timer及WDT的时钟源低电压复位（LVR）l 复位电压有4级可选： 4.3、3.7V、2.9V、1.9V，缺省值为用户烧写Code Option所选值Flash烧写和仿真l 2线JTAG烧写、仿真接口，支持带电仿真
15626510025