联系人：唐生
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地址： 广东深圳市前海深港合作区前湾一路1号
| 品牌 |
AO |
型号 |
AO2301 |
| 类型 |
绝缘栅型场效应管/MOS场效应管 |
沟道类型 |
P型沟道 |
| 导电方式 |
增强型 |
适合频率 |
高频 |
| 封装外形 |
CHIP/小型片状 |
材质 |
P-FET硅P沟道 |
| 外形尺寸 |
3mm |
加工定制 |
是 |
| 工作电压 |
20V |
工作电流 |
2.8A |
我公司批量供应美国泰德TECHCODE原装TDM3478 MOS管，封装是:DFN33PPAK(PPAK-33-8)，效率高，封装小。生产日期：2017年，若有需求，欢迎联系我司！真诚的希望我公司的产品和服务能得到您的信任和满意！ 具体规格如下： N沟道增强型MOSFET TDM3478
数据表
说明
该TDM3478采用先进的沟道技术
提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这项
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用。
一般功能
RDS（ON）<9.7mΩ@ VGS = 4.5V
RDS（ON）<6MΩ@ VGS = 10V
高功率和电流移交能力
表面贴装封装
无铅和绿色设备可用（符合RoHS）
申请书
PWM应用
负荷开关
电源管理
供电系统
额定值（TA = 25℃除非另有说明）
参数符号限值单位
漏源电压VDS 30 V
栅源电压VGS + 20V
漏电流@连续
ID（TA = 25℃）15.2&agre;
ID（TA = 70℃）12.1
漏电流@电流脉冲（注1）IDM（TC = 25℃）100 A
功率耗散（TA = 25℃）PD 2.08Wˉˉ
工作结温TJ 150℃
存储温度范围TSTG -55到150℃
热特性
热阻，结到环境（注2）RθJA60℃/ W';
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