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　　台积电 三星电子已开始量产 3 纳米芯片

　　【TechWeb】6 月 30 日消息，据国外媒体报道，周四，三星电子表示，它已经开始量产 3 纳米芯片，这使它击败竞争对手台积电，成为全球家量产 3 纳米芯片的代工厂。

　　据悉，这款芯片此前预计将于 2021 年上市，但一直推迟到今年。该公司没有公布新芯片的成品率和客户，但它表示，一旦成品率稳定，该芯片将用在智能手机上。

　　虽然三星没有公布新芯片的客户，但韩媒报道称，新芯片的个客户是中国矿机芯片厂商 PanSemi。

　　周四，三星电子表示，与 5 纳米芯片相比，3 纳米芯片的性能提高了 23%，功耗降低了 45%，芯片面积减少了 16%。将于 2023 年推出的第二代 3 纳米芯片则可使功耗降低 50%，性能提升 30%，芯片面积减少 35%。

　　三星电子的 3 纳米制程工艺采用的是 GAA 技术，该技术旨在提高芯片的晶体管密度，从而提高能源效率。

　　与目前应用在 5 纳米、7 纳米上成熟的 FinFET 晶体管相比，GAA 更先进，它可以更地控制电流，栅极宽度也更窄。

　　三星是世界上的存储芯片制造商，也是第二大代工芯片制造商，该公司正与全球的代工企业台积电展开竞争。

　　2021 年 10 月份，三星电子曾宣布，它将于 2022 年上半年开始量产 3 纳米芯片，这一时间表将在台积电之前。据悉，台积电计划在 2022 年 7 月量产 3 纳米芯片（小）

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