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地址：
| 品牌 |
英飞凌 |
封装 |
TO-252 |
| 数量 |
6000 |
制造商 |
Infineon |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-252-3 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
Id-连续漏极电流 |
65A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
10mOhms |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1V |
| Qg-栅极电荷 |
14nC |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
75W |
配置 |
Single |
| 高度 |
2.3mm |
长度 |
6.5mm |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
6.22mm |
| 正向跨导-最小值 |
46S |
下降时间 |
3.2ns |
| 上升时间 |
4.2ns |
单位重量 |
4g |
| 可售卖地 |
全国 |
型号 |
IRLR7821TRLPBF |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IRLR7821TRLPBF |
| 封装： | TO-252 |
| 数量： | 6000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 65 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 10 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 14 nC |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 75 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.22 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 46 S |
| 下降时间： | 3.2 ns |
| 上升时间： | 4.2 ns |
| 零件号别名： | IRLR7821TRLPBF SP001567356 |
| 单位重量： | 4 g |
13510768128