联系人:朱建鹏
邮箱:297325110@qq.com
电话:15339246806
地址: 陕西西安市未央区陕西省西安市浐灞生态区浐灞二路2008号荣德棕榈阳光16幢
| 型号 |
PT401-30MPa-05GB1C3D3 |
批号 |
222222 |
| 数量 |
666666 |
精度 |
0.5 |
| 封装 |
纸盒 |
介质 |
水 |
| 品牌 |
欧耐 |
|





变送器超时工作后需要保持稳定度:大部分变送器在经过超时工作后会产生“漂移”,因此很有必要在购买前了解变送器的稳定度,这种预先的工作能减少将来使用中会出现的种种麻烦。



仪器上读到的电压值与导线中的电流值通过传输阻抗换算。传输阻抗定义为:仪器输入阻抗上感应的电压与导线中的电流之比。对于一个具体的,可以从厂家提供的说明书中查到它的转移阻抗ZT。导线中的电流等于:I=V/ZT如果公式中的所有物理量都用dB表示,则直接相减。对于机箱的泄漏,要用近场进行探测。近场可以看成是很小的环形天线。由于它很小,因此灵敏度很低,仅能对近场的辐射源进行探测。这样有利于对辐射源进行。





LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。


