半导体分立器件静态参数测试仪

　　半导体分立器件静态参数测试仪系统

　　陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、内阻Rds(on)）以及IV特性曲线等

　　一、产品信息及规格

　　产品型号：STD2000

　　产品名称：半导体分立器件静态参数测试仪系统

　　主机尺寸：深660*宽430*高210(mm)

　　主机重量：＜35kg

　　主机功耗：＜300W

　　海拔高度：海拔不超过4000m；

　　环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；

　　相对湿度：20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度45℃以下)；

　　大气压力：86Kpa～106Kpa；

　　防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；

　　电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

　　工作时间：连续；

　　二、产品特点

　　三代半：优秀的性能应对第三代半导体及传统器件，Si, sic,GaN器件

　　测试品类：覆盖25类常见的电子元器件及IC类，且支持定制扩展

　　功能丰富：轻松表征元器件“静态特性”“IV曲线”“Cxss”“CV”

　　分析筛选：功能全面，配置丰富，胜任实验室场景中各类电参数表征

　　量产测试：1h高达7K~12K的测试效率，可连接“分选机”“编带机”Prober接口、16Bin

　　一键加热：一键脉冲自动加热至+130°C，耗时< 1s

　　高压源：1400V (选配2KV)

　　高流源：40A(选配100A,200A,500A)

　　驱动电压：20V/10uA~100mA (选配+40V/10uA~100mA)

　　漏电测量：1nA漏电持续稳定测量，表现出优秀的一致性和稳定性，更有1.5pA微电流测量选件可供选择。

　　高精度：16位ADC/DAC，0.1%精度，1M/S采样速率

　　程控软件：基于Lab VIEW平台开发的填充式菜单软件界面

　　夹具工装：适配各类封装形式的器件，自动识别器件极性NPN/PNP

　　校准：系统自带校准软件，也可通过RS232接口连接数字表进行校验

　　三、测试范围

　　01. Diode /二极管（稳压、瞬态、三端肖特基、TVS、整流桥、三相整流桥）

　　02. BJT /三极管

　　03. Mosfet & JFET /场效应管

　　04. SCR /可控硅（单向/双向）

　　05. IGBT /绝缘栅双极大功率晶体管

　　06. OC /光耦

　　07. Relay /继电器

　　08. Darlington tube /达林顿阵列

　　09. Current sensor/电流传感器

　　10.基准IC(TL431)

　　11.电压复位IC

　　12.稳压器（三端/四端）

　　13.三端开关功率驱动器

　　14.七端半桥驱动器

　　15.高边功率开关

　　16.电压保护器（单组/双组）

　　17.开关稳压集成器

　　18.压敏电阻

　　19.电压监控器

　　四、测试参数

　　漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、FF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

　　击穿参数：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

　　导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)Notch = IGT1、IGT4、N、VGEON、IIN(Regulator)

　　关断参数：VGSOFF

　　触发参数：IGT、VGT

　　保持参数：IH、IH+、IH-

　　锁定参数：IL、IL+、IL-

　　增益参数：hFE、CTR、gFS

　　间接参数：IL

　　混合参数：RDSON、gFS、Input@Output / Regulation

　　五、应用场景

　　1、测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试，主要功能为曲线追踪仪）

　　2、失效分析（对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案）

　　3、选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）

　　4、来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）

　　5、量产测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）

　　6、替代进口（半导体分立器件静态参数测试仪系统可替代同级别进口产品）

　　六、性能指标