IGBT检测设备

　　HUSTEC华科智源

　　HUSTEC-1600A-MT

　　IGBT检测设备

　　一：IGBT检测设备主要特点

　　华科智源HUSTEC-1600A-MT静态测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试600A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；

　　IGBT检测设备测试参数：

　　ICES 集电极-发射极漏电流

　　IGESF 正向栅极漏电流

　　IGESR 反向栅极漏电流

　　BVCES 集电极-发射极击穿电压

　　VGETH 栅极-发射极阈值电压

　　VCESAT 集电极-发射极饱和电压

　　N 通态电极电流

　　VGEON 通态栅极电压

　　VF 二极管正向导通压降

　　整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。

　　二：华科智源IGBT检测设备应用范围

　　A：IGBT单管及模块，

　　B：大功率场效应管（Mosfet）

　　C：大功率二极管

　　D：标准低阻值电阻

　　E：轨道交通，风力发电，新能源汽车，变频器，焊机等行业筛选以及在线故障检测

　　三、华科智源IGBT检测设备特征：

　　A：测量多种IGBT、MOS管

　　B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；

　　C：脉冲宽度 50uS~300uS

　　D：Vce测量精度2mV

　　E：Vce测量范围>10V

　　F：电脑图形显示界面

　　G：智能保护被测量器件

　　H：上位机携带数据库功能

　　I：MOS IGBT内部二极管压降

　　J : 一次测试IGBT全部静态参数

　　K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

　　L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

　　测试参数：

　　ICES 集电极-发射极漏电流

　　IGESF 正向栅极漏电流

　　IGESR 反向栅极漏电流

　　BVCES 集电极-发射极击穿电压

　　VGETH 栅极-发射极阈值电压

　　VCESAT 集电极-发射极饱和电压

　　N 通态电极电流

　　VGEON 通态栅极电压

　　VF 二极管正向导通压降

　　IGBT静态参数测试仪整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用

　　1) 物理规格

　　设备尺寸：500（宽）x 450（深）x 250（高）mm；

　　质量：30kg

　　2) 环境要求

　　海拔高度：海拔不超过 1000m；

　　储存环境：-20℃～50℃；

　　工作环境：15℃～40℃。

　　相对湿度：20%RH ~ 85%RH ；

　　大气压力：86Kpa～ 106Kpa。

　　防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；

　　3) 水电气 用电要求：AC220V，±10%；

　　电网频率：50Hz±1Hz