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电话：15992538479
地址： 广东深圳市罗湖区东门街道城东社区中兴路239号外贸集团大厦2806-S42
| 品牌 |
infineon |
封装 |
TO-263 |
| 批次 |
22+ |
数量 |
10000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-263-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
600V |
| Id-连续漏极电流 |
31A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
77mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
3V |
| Qg-栅极电荷 |
45nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
117W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
下降时间 |
5ns |
| 上升时间 |
15ns |
典型关闭延迟时间 |
89ns |
| 典型接通延迟时间 |
23ns |
可售卖地 |
全国 |
| 型号 |
IPB60R099P7ATMA1 |
|
| 品牌： | infineon |
| 型号： | IPB60R099P7ATMA1 |
| 封装： | TO-263 |
| 批次： | 22+ |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 600 V |
| Id-连续漏极电流： | 31 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 77 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| Qg-栅极电荷： | 45 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 117 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 下降时间： | 5 ns |
| 上升时间： | 15 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 89 ns |
| 典型接通延迟时间： | 23 ns |
15992538479