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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
门驱动器 |
| RoHS |
是 |
产品 |
MOSFETGateDrivers |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
SOIC-8 |
| 激励器数量 |
1Driver |
输出端数量 |
1Output |
| 输出电流 |
200mA |
电源电压-最小 |
10V |
| 电源电压-最大 |
20V |
上升时间 |
80ns |
| 下降时间 |
40ns |
最小工作温度 |
-40C |
| 最大工作温度 |
+125C |
特点 |
Synchronous |
| 高度 |
1.5mm |
长度 |
5mm |
| 输出电压 |
10Vto20V |
技术 |
Si |
| 宽度 |
4mm |
商标 |
Infineon/IR |
| 逻辑类型 |
CMOS |
传播延迟—最大值 |
200ns |
| 最大关闭延迟时间 |
105ns |
最大开启延迟时间 |
125ns |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IR2118STRPBF |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | 门驱动器 |
| RoHS： | 是 |
| 产品： | MOSFET Gate Drivers |
| 类型： | High Side |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOIC-8 |
| 激励器数量： | 1 Driver |
| 输出端数量： | 1 Output |
| 输出电流： | 200 mA |
| 电源电压-最小： | 10 V |
| 电源电压-最大： | 20 V |
| 上升时间： | 80 ns |
| 下降时间： | 40 ns |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 125 C |
| 特点： | Synchronous |
| 高度： | 1.5 mm |
| 长度： | 5 mm |
| 输出电压： | 10 V to 20 V |
| 技术： | Si |
| 宽度： | 4 mm |
| 商标： | Infineon / IR |
| 逻辑类型： | CMOS |
| 传播延迟—最大值： | 200 ns |
| 最大关闭延迟时间： | 105 ns |
| 最大开启延迟时间： | 125 ns |
| 湿度敏感性： | Yes |
| 工作电源电流： | 340 uA |
| Pd-功率耗散： | 625 mW |
| 产品类型： | Gate Drivers |
| 工厂包装数量： | 2500 |
| 子类别： | PMIC - Power Management ICs |
| 单位重量： | 540 mg |
15992538479