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| 品牌 |
ONSEMI |
封装 |
SOT23 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
9000 |
| 湿气敏感性等级(MSL) |
1(无限) |
产品族 |
晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 |
| 晶体管类型 |
NPN-预偏压 |
电阻器-基极(R1) |
10kOhms |
| 电阻器-发射极(R2) |
10kOhms |
功率-最大值 |
246mW |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 可售卖地 |
全国 |
类型 |
分立半导体产品 |
| 型号 |
MMUN2211LT3G |
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| 品牌: | ONSEMI |
| 型号: | MMUN2211LT3G |
| 封装: | SOT23 |
| 批次: | 21+ |
| 数量: | 9000 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 产品族: | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 |
| 晶体管类型: | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿(最大值): | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 10 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | 10 kOhms |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 35 @ 5mA,10V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值): | 250mV @ 300μA,10mA |
| 电流 - 集电极截止(最大值): | 500nA |
| 功率 - 最大值: | 246mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |