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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
DirectFET-MX |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
| Id-连续漏极电流 |
19A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
4.6mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Qg-栅极电荷 |
29nC |
| Pd-功率耗散 |
89W |
配置 |
Single |
| 高度 |
0.7mm |
长度 |
6.35mm |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
5.05mm |
| 零件号别名 |
IRF6616TRPBFSP001525524 |
可售卖地 |
全国 |
| 型号 |
IRF6616TRPBF |
|
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IRF6616TRPBF |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | DirectFET-MX |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 19 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 4.6 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Qg-栅极电荷： | 29 nC |
| Pd-功率耗散： | 89 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 0.7 mm |
| 长度： | 6.35 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 5.05 mm |
| 零件号别名： | IRF6616TRPBF SP001525524 |
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