pSemi PE29102A-X IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE
SIT8008AC-83-33E-24.000000Y 单片机MCU SITIME 封装SMD 批次21+
GD/兆易创新 GD5F2GQ5UEYIGR NAND闪存
TI TLV9064QDRQ1 运算放大器 - 运放 AEC-Q100, 4-Channel, 10-MHz, low-noise, RRIO, CMOS op amp 14-SOIC -40 to 125
STC12C4052-35I-SOP20G 单片机MCU STC 封装SOP20 批次21+
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| 品牌 |
TI |
封装 |
MSOP-8 |
| 批次 |
19+ |
数量 |
230 |
| 制造商 |
TexasInstruments |
产品种类 |
运算放大器-运放 |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
VSSOP-8 |
通道数量 |
1Channel |
| 电源电压-最大 |
36V |
GBP-增益带宽产品 |
2MHz |
| 每个通道的输出电流 |
16mA |
SR-转换速率 |
0.8V/us |
| Vos-输入偏置电压 |
0.025mV |
电源电压-最小 |
4V |
| 最小工作温度 |
-40C |
最大工作温度 |
+125C |
| 输出类型 |
RailtoRail |
Ib-输入偏流 |
18nA |
| 工作电源电流 |
600uA |
关闭 |
NoShutdown |
| CMRR-共模抑制比 |
106dBto114dB |
en-输入电压噪声密度 |
8.8nV/sqrtHz |
| 系列 |
OPA188-Q1 |
资格 |
AEC-Q100 |
| 放大器类型 |
PrecisionLowNoiseOperationalAmplifier |
特点 |
EMIHardened,ZeroDrift |
| 输入类型 |
RailtoRail |
THD+噪声 |
0.0001% |

| 品牌: | TI |
| 型号: | OPA188AQDGKRQ1 |
| 封装: | MSOP-8 |
| 批次: | 19+ |
| 数量: | 230 |
| 制造商: | Texas Instruments |
| 产品种类: | 运算放大器 - 运放 |
| RoHS: | 是 |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | VSSOP-8 |
| 通道数量: | 1 Channel |
| 电源电压-最大: | 36 V |
| GBP-增益带宽产品: | 2 MHz |
| 每个通道的输出电流: | 16 mA |
| SR - 转换速率 : | 0.8 V/us |
| Vos - 输入偏置电压 : | 0.025 mV |
| 电源电压-最小: | 4 V |
| 最小工作温度: | - 40 C |
| 最大工作温度: | + 125 C |
| 输出类型: | Rail to Rail |
| Ib - 输入偏流: | 18 nA |
| 工作电源电流: | 600 uA |
| 关闭: | No Shutdown |
| CMRR - 共模抑制比: | 106 dB to 114 dB |
| en - 输入电压噪声密度: | 8.8 nV/sqrt Hz |
| 系列: | OPA188-Q1 |
| 资格: | AEC-Q100 |
| 放大器类型: | Precision Low Noise Operational Amplifier |
| 特点: | EMI Hardened, Zero Drift |
| 输入类型: | Rail to Rail |
| THD + 噪声: | 0.0001 % |
| 拓扑结构: | Zero Drift |
| 3dB带宽: | - |
| In—输入噪声电流密度: | 7 fA/sqrt Hz |
| Ios - 输入偏置电流 : | 6 nA |
| 最大双重电源电压: | +/- 18 V |
| 最小双重电源电压: | +/- 2 V |
| 湿度敏感性: | Yes |
| PSRR - 电源抑制比: | 142 dB |
| 单位重量: | 20 mg |