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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-251-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
60V |
| Id-连续漏极电流 |
99A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
8.3mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
16V |
Qg-栅极电荷 |
33nC |
| Pd-功率耗散 |
143W |
配置 |
Single |
| 高度 |
6.22mm |
长度 |
6.73mm |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
2.38mm |
| 零件号别名 |
IRLU3636PBFSP001567320 |
单位重量 |
4g |
| 可售卖地 |
全国 |
型号 |
IRLU3636PBF |

| 品牌: | INFINEON |
| 型号: | IRLU3636PBF |
| 封装: | 原厂封装 |
| 批次: | 21+ |
| 数量: | 4680 |
| 制造商: | Infineon |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-251-3 |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
| Id-连续漏极电流: | 99 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 8.3 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 16 V |
| Qg-栅极电荷: | 33 nC |
| Pd-功率耗散: | 143 W |
| 配置: | Single |
| 高度: | 6.22 mm |
| 长度: | 6.73 mm |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| 宽度: | 2.38 mm |
| 零件号别名: | IRLU3636PBF SP001567320 |
| 单位重量: | 4 g |