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| 品牌 |
安森美 |
封装 |
SOP3.9mm |
| 批次 |
22+ |
数量 |
30000 |
| 制造商 |
onsemi |
产品种类 |
达林顿晶体管 |
| RoHS |
是 |
配置 |
Array7 |
| 晶体管极性 |
NPN |
最大直流电集电极电流 |
0.5A |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
SOIC-16 |
| 最小工作温度 |
-20C |
最大工作温度 |
+85C |
| 系列 |
ULN2003 |
直流集电极/BaseGainhfeMin |
1000 |
| 直流电流增益hFE最大值 |
1000 |
高度 |
1.5mm |
| 长度 |
10mm |
宽度 |
666mg |
| 可售卖地 |
全国 |
型号 |
ULN2003ADR2G |

| 品牌: | ON/安森美 |
| 型号: | ULN2003ADR2G |
| 封装: | SOP3.9mm |
| 批次: | 22+ |
| 数量: | 30000 |
| 制造商: | onsemi |
| 产品种类: | 达林顿晶体管 |
| RoHS: | 是 |
| 配置: | Array 7 |
| 晶体管极性: | NPN |
| 最大直流电集电极电流: | 0.5 A |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | SOIC-16 |
| 最小工作温度: | - 20 C |
| 最大工作温度: | + 85 C |
| 系列: | ULN2003 |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min: | 1000 |
| 直流电流增益 hFE 最大值: | 1000 |
| 高度: | 1.5 mm |
| 长度: | 10 mm |
| 宽度: | 666 mg |