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| 品牌 |
AOS |
封装 |
TO-263 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
17000 |
| 制造商 |
Alpha&OmegaSemiconductorInc. |
FET类型 |
N通道 |
| 漏源电压（Vdss） |
600V |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
10A（Tc） |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） |
4.5V@250µA |
Vgs（最大值） |
±30V |
| 功率耗散（最大值） |
250W（Tc） |
工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263A |
| 可售卖地 |
全国 |
类型 |
分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET- |
| 型号 |
AOB10N60L |
|
| 品牌： | AOS |
| 型号： | AOB10N60L |
| 封装： | TO-263 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 17000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 750 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）： | 40 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 1600 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值）： | 250W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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