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| 品牌 |
VISHAY |
封装 |
WLCSP |
| 批次 |
1612+ |
数量 |
60 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
MicroFoot-4 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
12V |
Id-连续漏极电流 |
10.2A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
15mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
8V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
900mV |
Qg-栅极电荷 |
93nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
2.7W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
商标名 |
TrenchFET |
| 系列 |
SI8 |
晶体管类型 |
1P-Channel |
| 商标 |
VishaySemiconductors |
正向跨导-最小值 |
26S |
| 下降时间 |
210ns |
产品类型 |
MOSFET |
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SI8457DB-T1-E1 |
| 封装： | WLCSP |
| 批次： | 1612+ |
| 数量： | 60 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | MicroFoot-4 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 12 V |
| Id-连续漏极电流： | 10.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 15 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 8 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 900 mV |
| Qg-栅极电荷： | 93 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.7 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | TrenchFET |
| 系列： | SI8 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 商标： | Vishay Semiconductors |
| 正向跨导 - 最小值： | 26 S |
| 下降时间： | 210 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 60 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 300 ns |
| 典型接通延迟时间： | 27 ns |
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