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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SO-8 |
晶体管极性 |
N-Channel,P-Channel |
| 通道数量 |
2Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
| Id-连续漏极电流 |
4.7A,-3.5A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
80mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Qg-栅极电荷 |
16.7nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
1.4W |
通道模式 |
Enhancement |
| 资格 |
AEC-Q101 |
配置 |
Dual |
| 高度 |
1.75mm |
长度 |
4.9mm |
| 晶体管类型 |
1N-Channel,1P-Channel |
宽度 |
3.9mm |
| 零件号别名 |
AUIRF7309QTRSP001521596 |
单位重量 |
540mg |
| 可售卖地 |
全国 |
型号 |
AUIRF7309QTR |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | AUIRF7309QTR |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel, P-Channel |
| 通道数量： | 2 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 4.7 A, - 3.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 80 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Qg-栅极电荷： | 16.7 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.4 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Dual |
| 高度： | 1.75 mm |
| 长度： | 4.9 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 宽度： | 3.9 mm |
| 零件号别名： | AUIRF7309QTR SP001521596 |
| 单位重量： | 540 mg |
15992538479