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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-252-3 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
Id-连续漏极电流 |
15A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
115mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| Qg-栅极电荷 |
29.3nC |
Pd-功率耗散 |
52W |
| 配置 |
Single |
高度 |
2.3mm |
| 长度 |
6.5mm |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
6.22mm |
商标 |
Infineon/IR |
| 产品类型 |
MOSFET |
工厂包装数量 |
3000 |
| 子类别 |
MOSFETs |
零件号别名 |
SP001573318 |
| 单位重量 |
4g |
可售卖地 |
全国 |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IRFR3910TRLPBF |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 15 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 115 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Qg-栅极电荷： | 29.3 nC |
| Pd-功率耗散： | 52 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.22 mm |
| 商标： | Infineon / IR |
| 产品类型： | MOSFET |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 零件号别名： | SP001573318 |
| 单位重量： | 4 g |
15992538479