BSS214NH6327XTSA1 集成电路、处理器、微控制器 INFINEON 封装SOT23 批次21+

BSS214NH6327XTSA1 集成电路、处理器、微控制器 INFINEON 封装SOT23 批次21+

价格 20.00
起订量 10㎡
货源所属商家已经过真实性核验
品牌 INFINEON
型号 BSS214NH6327XTSA1
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电子元器件

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产品详情
品牌

INFINEON

封装

SOT23

批次

21+

数量

9000

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装/箱体

SOT-23-3

通道数量

1Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

20V

Id-连续漏极电流

1.5A

RdsOn-漏源导通电阻

106mOhms

Vgs-栅极-源极电压

12V

Vgsth-栅源极阈值电压

700mV

Qg-栅极电荷

800pC

最小工作温度

-55C

最大工作温度

+150C

Pd-功率耗散

500mW(1/2W)

配置

Single

通道模式

Enhancement

资格

AEC-Q101

高度

1.1mm

长度

2.9mm

系列

BSS214

晶体管类型

1N-Channel

宽度

1.3mm

正向跨导-最小值

4S

下降时间

1.4ns

上升时间

7.8ns

典型关闭延迟时间

6.8ns

典型接通延迟时间

4.1ns

零件号别名

BSS214NH6327SP000928936

单位重量

8mg

可售卖地

全国

型号

BSS214NH6327XTSA1


技术参数

品牌:INFINEON
型号:BSS214NH6327XTSA1
封装:SOT23
批次:21+
数量:9000
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:1.5 A
Rds On-漏源导通电阻:106 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV
Qg-栅极电荷:800 pC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
高度:1.1 mm
长度:2.9 mm
系列:BSS214
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:1.3 mm
正向跨导 - 最小值:4 S
下降时间:1.4 ns
上升时间:7.8 ns
典型关闭延迟时间:6.8 ns
典型接通延迟时间:4.1 ns
零件号别名:BSS214N H6327 SP000928936
单位重量:8 mg

商家电话:
15992538479