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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
系列 |
CoolMOS™CFD7 |
| FET类型 |
N通道 |
漏源电压（Vdss） |
650V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
14A（Tc） |
不同Id时Vgs(th)（最大值） |
4.5V@300µA |
| Vgs（最大值） |
±20V |
功率耗散（最大值） |
75W（Tc） |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
安装类型 |
通孔 |
| 封装/外壳 |
TO-247-3 |
可售卖地 |
全国 |
| 类型 |
分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET- |
型号 |
IPW60R170CFD7XKSA1 |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IPW60R170CFD7XKSA1 |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | CoolMOS? CFD7 |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 170 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4.5V @ 300μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）： | 28 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 1199 pF @ 400 V |
| 功率耗散（最大值）： | 75W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
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