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| 品牌 |
ST/意法半导体 |
型号 |
STB55NF06LT4 |
| 封装/规格 |
TO-263 |
漏源电压(Vdss) |
60V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) |
10V |
不同Id时Vgs(th)(最大值) |
4.7V@25 |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) |
37nC@ |
Vgs(最大值) |
±16V |
| 工作温度 |
-55°C~175°C(TJ) |
封装 |
TO-263 |
| 数量 |
8999 |
批号 |
22+ |


STB55NF06LT4规格:
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55A(Tc) |
| 驱动电压( Rds On,最小 Rds On) | 10V,5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) | 18 毫欧 @ 27.5A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(值) | 4.7V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) | 37nC @ 4.5V |
| Vgs(值) | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) | 1700pF @ 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散(值) | 95W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |