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| 品牌 |
ST/意法半导体 |
型号 |
STD10NM60ND |
| 封装形式 |
TO-252-3 |
工作温度 |
-55°C~150°C(TJ)℃ |
| 产品说明 |
全新原装 |
包装 |
标准卷带 |
| 数量 |
10000 |
封装 |
TO-252-3 |
| 批号 |
19+ |
|
STD10NM60ND规格：
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） | 600 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） | 20nC @ 10V |
| Vgs（值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） | 577pF @ 50V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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