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| 品牌 |
Umicore |
型号 |
HPGe晶体 |
| 用途 |
辐射探测 |
产地 |
比利时 |
| 厂家 |
优美科 |
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1、晶体习性与几何描述：
该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为：
D ----外形尺寸当量直径
W----锗晶体重量
L-----晶体长度
测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。
2、纯度：残留载荷
允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。
同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式：
Nmax= 每立方厘米杂质含量
VD = 耗尽层电压 = 5000 V
εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm
εr = 相对介电常数(Ge) = 16
q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge)
r1 = 探测器内孔半径
r2 = 探测器外孔半径
3、纯度 ：
假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为：
D = 晶体外表面
平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式：
d=探测器外观尺寸厚度
径向分散载荷子（值）
迁移：霍尔迁移
性能： P 型晶体 μH≥ 10000 cm2/V.s
N 型晶体 μH≥ 10000 cm2/V.s
能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot≤ 4.5*109cm-3
N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*108cm-3
晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体
错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000
星型结构 ≤ 3 ≤ 3
镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5
4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明：
| 高纯锗晶体
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产地
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比利时
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物理性质
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颜色
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银灰色
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属性
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半导体材料
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密度
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5.32g/cm3
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熔点
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937.2℃
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沸点
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2830℃
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技术指标
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材料均匀度
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特级
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光洁度
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特优
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纯度
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99.999 999 99%-99.999 999 999 99%（10 N-13N)
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制备方式
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锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。
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产品规格
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P、N型按客户要求定制
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产品用途
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超高纯度，红外器件、γ辐射探测器
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P型N型高纯锗
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在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗； 在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。
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交货期
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90天
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