联系人：林经理
邮箱：vigny@hxg-components.com
电话：15013612469
地址： 广东深圳市福田区世纪汇都会轩1107室
| 品牌 |
ROHM/罗姆 |
封装 |
TSMT8 |
| 批号 |
19+ |
数量 |
3000 |
| 制造商 |
ROHMSemiconductor |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TSMT-8 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
2Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
Id-连续漏极电流 |
9A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
12.5mOhms |
|
| 品牌： | ROHM/罗姆 |
| 型号： | QH8KA4TCR |
| 封装： | TSMT8 |
| 批号： | 19+ |
| 数量： | 3000 |
| 制造商： | ROHM Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TSMT-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 2 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 9 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 12.5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 12 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 500 mV |
| Qg-栅极电荷： | 12 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Dual |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 商标： | ROHM Semiconductor |
| 正向跨导 - 最小值： | 7 S, 7 S |
| 下降时间： | 20 ns, 20 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 20 ns, 20 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 50 ns, 50 ns |
| 典型接通延迟时间： | 20 ns, 20 ns |
| 零件号别名： | QH8KA4 |
15013612469